遼寧大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠
更新時間:2026-02-13 點擊次數(shù):11
持續(xù)的研發(fā)是保持產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵,而模擬芯片的研發(fā)與設(shè)計需要電子、材料、半導(dǎo)體等跨學(xué)科知識的積累和跨行業(yè)技術(shù)的整合,且對研發(fā)人員的專業(yè)水平和工作經(jīng)驗要求較高。必易微的**研發(fā)團(tuán)隊均具備國內(nèi)外名校的學(xué)歷背景,并曾在國內(nèi)外**科技企業(yè)擔(dān)任高層研發(fā)和管理職務(wù),擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗,對模擬集成電路設(shè)計有著深刻的理解。必易微在市場開拓的進(jìn)程中專注客戶服務(wù),對客戶的需求能夠快速響應(yīng),以解決客戶痛點、**市場潮流為市場價值導(dǎo)向,取得了行業(yè)頭部客戶的認(rèn)可和采用,推動了公司產(chǎn)品打破國外廠商對市場的壟斷地位,為公司新產(chǎn)品、新業(yè)務(wù)的發(fā)展提供了***遼闊的市場空間。內(nèi)部集成門極驅(qū)動電路、頻率限制電路、 差分放大電路。遼寧大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠
BUCK降壓芯片,小封裝輸出5V100mA,低功耗、高效率、線路簡單,在某些情況下(如重載或者輸出短路等),系統(tǒng)的電感電流峰值將上升過于劇烈。為避免電感峰值電流過大對系統(tǒng)元器件造成損壞,芯片內(nèi)部設(shè)計有異常過流檢測模塊(AOCP,典型閾值為250mA)。當(dāng)CS電壓高于該閾值時,內(nèi)部功率MOSFET即刻關(guān)斷并保持關(guān)斷狀態(tài)持續(xù)2個周期。芯片內(nèi)部集成的過熱保護(hù)電路會檢測芯片的芯片結(jié)溫,當(dāng)芯片結(jié)溫超過155度(典型值)時系統(tǒng)進(jìn)入到自動重啟模式。廣東非隔離BUCK電源芯片設(shè)計的軟驅(qū)動功能的驅(qū)動電路優(yōu)化了系統(tǒng) EMI 性能。
18V降壓DCDC芯片,低待機(jī)。KP52220XA 是一顆用于各種中壓輸入電壓軌(4.5V-17V) 應(yīng)用的2A 直流同步降壓轉(zhuǎn)換器,尤其適用于12V 的輸入電壓軌。該轉(zhuǎn)換器采用恒定導(dǎo)通時間(COT) 控制策略,實現(xiàn)了超快的瞬態(tài)響應(yīng),同時無需外部環(huán)路補(bǔ)償,有助于節(jié)省輸出電容和減少解決方案的整體尺寸。另外KP52220XA 的內(nèi)部導(dǎo)通時間定時器與輸入電壓成反比,與輸出電壓成正比,實現(xiàn)了在不同的工作條件下固定的工作頻率。該產(chǎn)品還額外集成了輸出電壓誤差放大器,可以消除COT 控制策略形成的半個紋波的直流輸出電壓失調(diào),從而達(dá)到更高的輸出電壓精度和負(fù)載調(diào)整率。在輕載條件下,KP522201A 工作在脈沖頻率調(diào)制模式(PFM) 中,通過降低開關(guān)頻率來保持高輕載輸出效率;而KP522208A 工作在強(qiáng)制脈寬調(diào)制模式(FPWM) 中,通過保持開關(guān)頻率的恒定以保持低輸出電壓紋波。
如果輸出電容在芯片啟動時已經(jīng)處于預(yù)偏置電壓狀態(tài),芯片*在內(nèi)部參考電壓SS 大于反饋電壓VFB 后才啟動開關(guān),VOUT 開始上升。該預(yù)偏置軟啟動方案保證了芯片輸出電壓平穩(wěn)地上升進(jìn)入穩(wěn)定狀態(tài)。集成了輸出欠壓打嗝保護(hù)(UVP) 功能,通過不斷監(jiān)測反饋電壓VFB 防止芯片輸出過載或短路。如果VFB 低于輸出欠壓保護(hù)閾值(VUVP) (典型值為內(nèi)部反饋參考電壓的65%),欠壓比較器的輸出將會置高,以關(guān)閉內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)MOSFET 開關(guān)管,阻止芯片繼續(xù)開關(guān)工作。集成有完備的帶自恢復(fù)功能的保護(hù)功能: VDD 欠壓保護(hù)、逐周期電流限制、輸出過壓保護(hù)、 過熱保護(hù)。
主要特點?集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路?優(yōu)化輕載噪音、提升系統(tǒng)抗干擾能力?多模式控制、無異音工作?支持降壓和升降壓拓?fù)?默認(rèn)12V輸出(FB腳懸空)?待機(jī)功耗
內(nèi)部 1ms 軟啟動時間,避免過沖電壓和電流。遼寧大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠
芯片BST 引腳和 SW 引腳間需要加入一顆陶瓷電容以穩(wěn)定支撐芯片內(nèi)部高側(cè)N-MOSFET 的驅(qū)動電源。此處推薦使用不低于10V 耐壓的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷電容(0603 封裝)。采用 COT 控制架構(gòu)可以實現(xiàn)超快的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能。在某些對負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)要求更高的應(yīng)用條件下,還可以通過在輸出反饋分壓電阻上添加前饋電阻RFF 和電容CFF 來進(jìn)一步提升瞬態(tài)響應(yīng)性能??紤]到噪聲耦合影響,推薦使用RFF = 2 kΩ~10kΩ,另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意,實際RFF 和 CFF 為可選器件,推薦以實測負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)和輸出調(diào)整率的結(jié)果優(yōu)化選取。遼寧大功率外置MOS非隔離BUCK電源芯片原廠
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